派恩杰竞争力
市场应用领域
以碳化硅为代表的第三代半导体器件是电力电子领域革命性的成果。
潜力与规模
功率半导体市场预计到2022年达到 每年350亿美金（约2800亿人民币）其市场增长速度，超过全球GDP增长。
技术与工艺
派恩杰已布局知识产权80余项，其中已授权40多项，另掌握碳化硅与氮化镓的全套工艺菜单、筛选测试方案等重要技术秘密。
团队与产品
团队优势
技术团队项目有领先的产品技术和持续研发能力。团队成员所拥有的产品技术领先国内3-5年，其中碳化硅MOSFET技术填补国内空白。技术团队本身具有技术知识储备，能够根据市场客户需求完成产品的迭代设计和定制开发。销售团队有精准的客户资源和完整的市场销售渠道。销售团队成员本身就已经充分掌握国内和亚太区域客户资源，包括国际龙头竞争对手的客户资源，另有从渠道总代理、区域分销商到终端客户的完成推广渠道。 运营团队有量产制造经验和完善组织架构履历。项目运营团队均来自上市同行企业，并在国内外同类企业工作多年，核心人员有着10年以上半导体行业工作和管理经验。在行业内有着广泛的人脉资源，有潜在人员储备。
产品优势
派恩杰产品有SiC SBD，SiC MOSFET以及GaN HEMT等，广泛应用于服务器及数据中心电源、新能源汽车、智能电网、5G物联网、工业电机、逆变器等场景和领域。成立仅6个月即完成第一款可兼容驱动650V GaN功率器件；同年发布Gen3技术的1200V SiC MOSFET产品，技术指标国内领先；2020年公司推出650V、1700V SiC MOSFET产品，完成三大产品系列布局；2021年公司推出650V、1200V SiC SBD全阵容产品，丰富了650V、1200V、1700V SiC MOSFET产品线，已发布100余款不同型号功率器件。其中SiC MOSFET产品已成功导入整车厂，Tier 1厂商。
核心奖项
2019年成为JC-70号标准委员会的主要成员公司之一
参与制定宽禁带半导体功率器件的国际标准，并握有一票
公司已布局核心知识产权80余项
其中已授权40多项，掌握碳化硅与氮化镓的器件全套工艺、筛选测试等重要技术