邀请函 | 派恩杰 · 诚挚邀请您参加SNEC第十七届上海光伏展

派恩杰致力于碳化硅功率器件国产替代，专注于技术创新和产品研发。我们将持续为新能源赛道赋能，助力客户步履更稳，行得更远。未来我们也希望能够和业内更多同仁进行多方位的技术交流并保持友好合作。敬请期待！

第三代宽禁带半导体材料前沿技术探讨交流平台，帮助工程师了解SiC/GaN全球技术发展趋势。所有内容都是SiC/GN功率器件供应商派恩杰半导体创始人黄兴博士和派恩杰工程师原创。

黄兴博士

派恩杰 总裁 &技术总监

师承IGBT发明者Dr. B.Jayant Baliga与发射极关断晶闸管发明者Dr.Alex Q.Huang。2018年创建派恩杰半导体(杭州)有限公司，领导派恩杰成为全球第一家量产元胞尺寸小于5μm的平面栅碳化硅MOSFET供应商，获得国际新能源龙头企业认可并收获直供订单，完成数亿元融资。黄兴博士著有10余篇科技论文，超350次引用，并拥有40余项专利，是碳化硅研发及应用领域的资深专家。

派恩杰半导体

成立于2018年9月的第三代半导体功率器件设计和方案商，国际标准委员会JC-70会议的主要成员之一，参与制定宽禁带半导体功率器件国际标准。发布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大规模导入国产新能源整车厂和Tier 1，其余产品广泛用于大数据中心、超级计算与区块链、5G通信基站、储能/充电桩、微型光伏、城际高速铁路和城际轨道交通、家用电器以及特高压、航空航天、工业特种电源、UPS、电机驱动等领域。

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