碳化硅（SiC）属于第三代半导体，SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作，派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的栅氧层可靠性，且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性，1700V耐压极适用于众多电力应用场合下接入高压母线的辅助电源，派恩杰对此SiC MOSFET进行优化，可以使用0V电压关断，多种封装形式可直接PIN对PIN直接替换现有高压Si MOSFET和Si IGBT。此 SiC MOSFET 采用 DFN8*8 引脚封装体积小，增大电气间距，提供更高性价比。