碳化硅（SiC）属于第三代半导体，SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作，提高频率可减小磁性元件体积从而实现更高功率密度，派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的栅氧层可靠性，且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性。此 SiC MOSFET 采用 TO247-4 引脚封装，具有开尔文引脚，可降低源极寄生电感对门极电路的影响，从而提高开关速度，减小开关损耗，提高效率。