碳化硅（SiC）属于第三代半导体，SiC MOSFET相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作，提高频率可减小磁性元件体积从而实现更高功率密度，派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的栅氧层可靠性，且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性。此 SiC MOSFET采用 TO247-3 引脚封装可直接PIN对PIN替换同封装Si MOSFET，提供更高性价比。