SiC MOSFET-P3M06035K4

特征

符合AECQ-101 | 超小型Qgd | 高阻断电压与低导通电阻 | 优异的高温特性 | 100%UIS测试

优势

提升整体效率 | 减小散热器尺寸 | 降低系统成本 | 提高功率密度

应用领域

新能源车用DC/DC

样品申请

P3M06035K4 · 650V · TO247-4 · 35mΩ · 67A · 35.8nC · 250pF · 175℃