SiC SBD-P3D12020K3
碳化硅（SiC）属于第三代半导体，派恩杰独有的SiC 肖特基二极管结构相比于传统Si 肖特基二极管具有更高的耐压等级和更低的漏电流，大大提升了系统效率，特别适合在高压高频条件下工作，派恩杰提供多种多样封装形式去适应不同应用场景
特征
符合AECQ-101 | 100%UIS测试 | 极小的反向恢复损耗 | 优异的高温特性
优势
优异的性能 | 减小系统体积 | 提升整体效率 | 减小散热面积 | 车规级器件 | 降低系统成本 | 降低电磁干扰
应用领域
充电桩,60kw 双向OBC架构